LTM4613MPV#PBF的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
LTM4613MPV#PBF
Brand Name
Analog Devices Inc
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
4002726891
包装说明
15 X 15 MM, 4.32 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-222, LGA-133
针数
133
制造商包装代码
05-08-1884
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
风险等级
2.16
Samacsys Description
Switching Voltage Regulators EN55022B Compliant 36VIN, 15VOUT, 8A, DC
Samacsys Manufacturer
Analog Devices
Samacsys Modified On
2024-06-25 08:10:20
YTEOL
8.5
其他特性
ALSO OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 3.3 TO 15V
模拟集成电路 - 其他类型
SWITCHING REGULATOR
控制模式
CURRENT-MODE
控制技术
PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压
36 V
最小输入电压
5 V
标称输入电压
24 V
JESD-30 代码
S-XBGA-N133
JESD-609代码
e4
长度
15 mm
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
133
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
8 A
标称输出电压
12.07 V
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
LGA
封装等效代码
LGA133,12X12,50
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.42 mm
表面贴装
YES
切换器配置
BUCK
最大切换频率
600 kHz
技术
HYBRID
温度等级
MILITARY
端子面层
Gold (Au)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
15 mm
LTM4613MPV#PBF是一款由Analog Devices公司设计和制造的高度集成的直流-直流电源模块。它主要用于为各种电子产品提供高效、可靠的电力支持。随着电子设备复杂性的日益增加，电源模块的设计要求也变得愈加严格。LTM4613的设计理念正是为了满足这些需求，无论是在功率密度、效率还是在电路布局方面，其都显示出了优异的性能。
1. 设计与构造
LTM4613是一款集成了多个功能的电源模块，包含了输入调节、电源管理和输出调节等模块。它具有很高的功率密度，体积小，能够轻松集成到各种电路中。该模块的输入电压范围广泛，通常能够支持从4.5V到28V的输入，输出电压能够调节至0.8V至15V，这使得它适用于多种应用场景。
在设计上，LTM4613采用了先进的同步整流技术，提高了转换效率，相比于传统的电源设计，其在负载条件下的效率高达95%以上。此外，该模块拥有高达12A的输出电流能力，能够满足对大功率输出需求的系统使用。
2. 功能与性能
LTM4613模块具备多种功能，包括但不限于软启动、过流保护、过温保护等。这些保护功能确保了设备在应对意外情况时能够保持稳定运行。例如，过流保护能够防止模块因负载过大而发生损坏，过温保护则能够在模块温度超过安全阈值时自动关断输出，从而保护电路的安全。
此外，LTM4613具备出色的瞬态响应能力。在负载突变或输入电压波动时，该模块能够快速调整输出电压，保持稳定。这种性能在对时间响应要求高的应用中尤为重要，如通信设备和工业控制系统。
3. 应用领域
LTM4613广泛应用于多个领域，涵盖了计算机、通信设备、工业控制、医疗设备等。其高效的能量转换和稳定的输出特性，使得它在数据中心、基站以及自动化设备等场合备受青睐。在计算领域，LTM4613不仅能用于处理器供电，还能为各种外围设备如存储器、FPGA等提供所需的电压。
在通信领域，基站由于其对电源的稳定性要求极高，因此LTM4613这样的高性能模块成为了理想选择。此外，随着电子设备向小型化和高集成化发展，LTM4613的紧凑设计使其特别适合在空间受限的环境中使用。
4. 设计注意事项
在设计电路时，尽管LTM4613提供了各种保护功能，设计人员仍需综合考虑电路的整体布局及外围元件的选择。例如，输入和输出电容的选型会直接影响模块的电源稳定性和响应速度。此外，布局时也需尽量减少高频环路的影响，以降低电磁干扰。
此外，设计者在选择输入电源时也需要考虑模块的开启电压和输入电压范围，以确保LTM4613能够正常工作。适当地选择合适的散热方案同样不可或缺，尤其是在高负载或高温环境下，散热设计将直接影响模块的性能和可靠性。
5. 未来发展方向
随着技术的发展，电源管理模块的设计将向更高的效率、更低的功耗和更小的体积发展。LTM4613的设计理念正符合这样的趋势，未来很可能会出现更加先进的电源模块，具备更高的集成度和更智能的电源管理功能。
在电源模块的实施过程中，数字控制技术也将发挥越来越重要的作用。通过数字控制，设计师能够实现更加精确的电压和电流调节，从而提高整个系统的效率与可靠性。此外，随着物联网和新能源汽车等新兴应用的快速发展，高性能电源模块的需求将持续增长，推动电源设计技术的不断创新。
总体而言，LTM4613MPV#PBF电源模块凭借其卓越的性能和广泛的适用性，成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。随着发展和创新的不断进步，该模块在满足当前科技需求的同时，也为未来的电子设计提供了可靠的支持。
LTM4613MPV#PBF
ADI(亚德诺)
SN65HVD3080EDGSR
TI(德州仪器)
3314J-1-103E
Bourns(伯恩斯)
AD5700-1BCPZ-R5
ADI(亚德诺)
AT24C128C-XHM-T
Atmel(爱特梅尔)
NCV1117DTARKG
ON(安森美)
RTC72423A
SEIKO(精工)
ADR3440ARJZ-R7
ADI(亚德诺)
ADS131M06IPBS
TI(德州仪器)
BQ24450DWTR
TI(德州仪器)
HCPL-2231-000E
Avago(安华高)
MAX4080TASA+T
Maxim(美信)
PGA900ARHHR
TI(德州仪器)
TPS3836K33DBVR
TI(德州仪器)
LMR36006AQRNXRQ1
TI(德州仪器)
LT1763CS8-3.3#PBF
LINEAR(凌特)
REF192FSZ-REEL7
ADI(亚德诺)
74AVC4T245QRGYRQ1
TI(德州仪器)
CD74HC4046AM96
TI(德州仪器)
EP1K100QC208-3N
ALTERA(阿尔特拉)
IRFB4710PBF
IR(国际整流器)
LPC2194HBD64/01
NXP(恩智浦)
14235R-2000
Echelon Corporation
GD82559ER
INTEL(英特尔)
WL1801GYFVR
TI(德州仪器)
ADA4817-1ACPZ-R7
ADI(亚德诺)
AQV252GAX
Panasonic(松下)
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon(英飞凌)
LM4040D30IDBZR
TI(德州仪器)
NX5032GA-8.000M-STD-CSU-1
NDK(日本电波工业株式会社)
ADS114S08IRHBR
TI(德州仪器)
B2P-VH(LF)(SN)
JST(日压)
HMC462LP5ETR
Hittite Microwave
NFE31PT222Z1E9L
MURATA(村田)
PIC16F648A-I/SO
Microchip(微芯)
PIC32MX775F512L-80I/PT
Microchip(微芯)
TPS2559DRCR
TI(德州仪器)
SMAJ15A
Vishay(威世)
STTS22HTR
ST(意法)
L6566BHTR
ST(意法)
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay(威世)
TLV2474AIDR
TI(德州仪器)
CPC1709J
IXYS(艾赛斯)
LM567CMX/NOPB
TI(德州仪器)
LMV324LIDT
ST(意法)
PEX8608-BA50BCG
Avago(安华高)
74LVC1T45W6-7
Diodes(美台)
ADUM3401ARWZ-RL
ADI(亚德诺)
CC1000PWR
TI(德州仪器)
IRFP9240PBF
Infineon(英飞凌)
SBRD10200TR
SMC(桑德斯)
BAS85
Vishay(威世)
BLF245
NXP(恩智浦)
LM60BIM3/NOPB
NS(国半)
LTC5553IUDB#TRMPBF
ADI(亚德诺)
M24C64-WDW6TP
ST(意法)
MT25QU128ABA8ESF-0SIT
micron(镁光)
TLV3012AIDCKR
TI(德州仪器)
XC7A200T-3FFG1156E
XILINX(赛灵思)
AS2522B
AMS(艾迈斯)
LMZ14203HTZE/NOPB
TI(德州仪器)
LT8309ES5#TRMPBF
LINEAR(凌特)
MAX3053ESA+T
Maxim(美信)
MAX3237EAI+
Maxim(美信)
TCAN332GDCNR
TI(德州仪器)
TMS320F2812ZAYS
TI(德州仪器)
ACS717KMATR-10B-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
AZ431BN-ATRE1
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
OPA2241UA/2K5
TI(德州仪器)
SG1525AJ/883B
Microchip(微芯)
TL072IP
TI(德州仪器)
AD8351ARMZ-REEL7
ADI(亚德诺)
IRFTS9342TRPBF
IR(国际整流器)
LTST-C193KRKT-5A
LITEON(台湾光宝)
RT8105GS
RICHTEK(台湾立锜)
VN5772AKTR-E
ST(意法)
EN5364QI
INTEL(英特尔)
IRF8788TRPBF
Infineon(英飞凌)
LFCG-3400+
Mini-Circuits
LP2998MAX/NOPB
TI(德州仪器)
NTS4409NT1G
ON(安森美)
R5F10BGGLFB#H5
Renesas(瑞萨)
TL072BCDR
TI(德州仪器)
TPS23757PWR
TI(德州仪器)
FT4222HQ-D-T
FTDI(飞特帝亚)
LFCN-5500+
Mini-Circuits
S6J334CJEESE20000
Cypress(赛普拉斯)
SI2308CDS-T1-GE3
SILICON LABS(芯科)
SN74CBTLV3125DBQR
TI(德州仪器)
TPS40140RHHR
TI(德州仪器)
XC7S75-1FGGA484I
XILINX(赛灵思)
AT24C256C-SSHL-B
Microchip(微芯)
BSP170PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
IPT015N10N5ATMA1
Infineon(英飞凌)
L6902D013TR
ST(意法)
MX25U6432FM2I02
MXIC(旺宏)
SI4840BDY-T1-GE3
Vishay(威世)
SI7850DP-T1-GE3
Vishay(威世)
STM32WLE5JCI6
ST(意法)
TPS2549RTER
TI(德州仪器)
TPS73433TDDCRQ1
TI(德州仪器)
1ED020I12-B2
Infineon(英飞凌)
GL852G-HHY60
GENESYS(创惟)
6N137-500E
Avago(安华高)
CMX865AD4
CML Innovative Technologies（CML-IT）
DSPIC33EP512MU814-I/PL
Microchip(微芯)
MT47H64M16HR-25EIT:H
micron(镁光)
PIC10F202-I/P
MIC(昌福)
PIC18F26K22T-I/ML
Microchip(微芯)
PS21A79
Mitsubishi Electric (三菱)
RA8835AP3N
RAIO(瑞佑)
RFPA3800TR13
RFMD
TC4-1W-7ALN+
Mini-Circuits
THS4130IDGNR
TI(德州仪器)
TPS6281320QWRWYRQ1
TI(德州仪器)
AD8233ACBZ-R7
ADI(亚德诺)
ADP3333ARMZ-3.3-R7
ADI(亚德诺)
ADP7104ARDZ-5.0-R7
ADI(亚德诺)
ADUM2401ARWZ-RL
ADI(亚德诺)
BTA25-600B
ST(意法)
DMG6601LVT-7
Diodes(美台)
FM21L16-60-TG
RAMTRON
LTC2174IUKG-14#PBF
LINEAR(凌特)
NN30321A-VB
Panasonic(松下)
PS2703-1-F3-A
Renesas(瑞萨)
SN74AHC1G02DCKR
TI(德州仪器)
TN2510N8-G
SUPERTEX(超科)
