制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 8.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 80 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: X2-Class
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
70
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 57 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 330 mg
IXTH3N200P3HV
IXTT1N300P3HV
IXTT2N300P3HV
IXTT3N200P3HV
IXTX4N300P3HV
IXTX6N200P3HV
IXTA02N250HV
IXTF02N450
IXTF1N250
IXTF1N400
