製造商: Microchip
產品類型: IGBT 模組
RoHS: 詳細資料
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓: 1.8 V
連續集電極電流在25 C: 610 A
Pd - 功率消耗 : 2.307 kW
封裝/外殼: SP6
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 100 C
封裝: Tube
品牌: Microchip Technology
柵極發射機最大電壓: 20 V
安裝風格: Chassis Mount
產品類型: IGBT Modules
1
子類別: IGBTs
技術: Si
每件重量: 110 g
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