型号：ISC151N20NM6ATMA1、IPT067N20NM6ATMA1、IPT129N20NM6ATMA1、IPP069N20NM6AKSA1、IPB068N20NM6ATMA1、ISZ520N20NM6ATMA1、IPF067N20NM6ATMA1
Infineon的 OptiMOS 6 200 V MOSFET 满足了对高功率密度、效率和可靠性的需求，与以前的 MOSFET 相比，RDS(on)在室温下降低了 42%，在 +175°C 时降低了 53%。减小的 Qrr及提升的电容线性度可以提高开关性能。实际上，在不影响 EMI 的情况下可减少传导和开关损耗。该技术改进了安全工作区 (SOA)，提高了保护开关应用中的 MOSFET 电流处理能力。同时，设计优化和生产精度使得可靠、高性能的技术成为并联的理想选择。提供多种封装选项，包括 PQFN 3.3 x 3.3、SuperSO8、D2PAK 3 针，D2PAK 7 针、TO 无引线和 TO-220。与之前的技术相比，OptiMOS 6 具有显著的性能优势，例如低导通和低开关损耗、改善 EMI、减少并行化要求以及并行时更好的均流。
KIT_LGPWR_BOM015 电源板模块采用 OptiMOS 6 功率 MOSFET 200 V，采用 D2PAK 封装，是低压驱动 (LVD) 可扩展电源演示板平台的电源构件。它是一个具有电源和栅极驱动互连功能的单半桥，可轻松构建任何基于半桥的电源拓扑结构。
采用 Infineon 功率 MOSFET 系列 OptiMOS 的 电源板采用了 D2PAK,、D2PAK-7 和 TO 无引线封装，展示了功率 MOSFET 在并行化和热行为方面的性能。
特性 低传导损耗 低开关损耗 改善 EMI 并行需求较少 并行时实现更好的均流 符合 RoHS 规范，无铅 应用 电动滑板车 微型电动汽车 电动叉车 园艺工具 太阳能和储能系统 服务器 电信 伺服驱动器 工业级 SMPS 音频 IPF067N20NM6ATMA1
