SI2318CDS-T1-GE3

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 5.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 2.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
单位重量: 8 mg