IPW60R060C7详细参数
Source Content uid IPW60R060C7
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8151580251
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 7.54
YTEOL 6.18
雪崩能效等级（Eas） 159 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 135 A
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
