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IPW65R048CFDA

发布时间:2023/12/25 9:14:00 访问次数:122

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LM3481MM/NOPB
LM3481MMX/NOPB
LM3481QMM/NOPB
LM3481QMMX/NOPB
TLE9180D-31QK
S912ZVC12F0VLF
SC900719BAF
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LM2675MX-5.0/NOPB
XC7K410T-2FFG900I


产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 63.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 270 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFDA
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R48CFDAXK SP000895318 IPW65R048CFDAFKSA1
单位重量: 6 g


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