MCU75N06YHE3-TP、MCG60N06YHE3-TP 和 MCAC65N06YHE3-TP 60 V N 沟道 MOSFET 采用分栅沟槽 (SGT) 技术。它们提供最佳的性能、效率和热管理，使其成为一系列要求严格的汽车应用的明智选择。这些符合 AEC-Q101 标准的 MOSFET 导通电阻低至 4.8 mΩ，可保证最佳功率流，同时显着降低功率损耗。
DFN333、DFN5060 和 DPAK 封装选项可实现设计灵活性以及与各种汽车系统的兼容性。
型号：MCG60N06YHE3-TP MCAC65N06YHE3-TP 特性与优势 SGT MOSFET 技术 通过 AEC-Q101 标准鉴定 卓越的性能和功能 最佳功率传输 减少功率损耗 DPAK、DFN333 和 DFN5060 封装带来设计灵活性 适用于高性能汽车应用 高密度单元设计，实现低 RDS(ON) 无铅表面、符合 RoHS 规范 应用 电动助力转向系统 (EPS) 电动水泵 风扇电机驱动 电动座椅控制 门锁 照明系统 室内 LED 照明 外部 LED 照明
