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STGWA40H65DFB

发布时间:2023/11/10 15:57:00 访问次数:107

制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 283 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C

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