制造商:
Toshiba
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-220SM-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
160 A
Rds On-漏源导通电阻:
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3.5 V
Qg-栅极电荷:
122 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
