FMH28N50E 富士功率NMOS
FMH28N50E 是一款由FUJI（富士）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片。
以下是关于 FMH28N50E 的一些主要特性和规格：
特性：
高功率：FMH28N50E 是一款高功率功率MOSFET，适用于需要处理大电流和高功率的应用。
低导通电阻：该芯片具有低导通电阻，可以有效地降低功率损耗和提高效率。
高开关速度：FMH28N50E 具有快速的开关速度，适用于要求快速响应和高频率操作的应用。
高耐压：该芯片具有高耐压特性，通常适用于高电压应用。
TO-247 封装：FMH28N50E 采用 TO-247 封装，有利于散热和安装到散热器上。
规格：
额定电压：FMH28N50E 的额定电压一般为 500V，可以处理高电压应用。
额定电流：该芯片的额定电流一般为 28A，适用于处理高电流负载。
导通电阻：FMH28N50E 的导通电阻一般较低，可以减少功耗和提高效率。
开关电容：该芯片的开关电容相对较小，有助于提高开关速度和降低开关损耗。
具有保护功能：FMH28N50E 可能具有过温度保护和过电流保护等内置保护功能，有助于提高系统的可靠性和安全性。
应用：
FMH28N50E 可用于各种功率电子应用，包括但不限于：
电源系统：如开关电源、逆变器和电源适配器等。
电机驱动：用于驱动电机和控制电机运动的应用，如电动工具、电动车辆等。
工业控制：用于工业自动化和控制系统中的功率开关应用。
照明应用：如 LED 照明驱动器、高亮度照明灯具等。
