制造商:
onsemi
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
详细信息
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1.2 kV
集电极—射极饱和电压:
2.1 V
栅极/发射极最大电压:
- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:
43 A
Pd-功率耗散:
298 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
HGTG11N120CND
发布时间:2023/11/1 15:35:00 访问次数:141
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