制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 385 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: onsemi
产品类型: IGBT Transistors
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子类别: IGBTs
单位重量: 6.856 g
