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FDD7N60NZTM

发布时间:2023/10/25 14:09:00 访问次数:96

NCV4294CSN50T1G
ADAU1452WBCPZ-RL,
L9301-TR
A4984SLPTR-T
NCV4294CSN50T1G
ON FDN5618P 23+
ON NCP1396BDR2G 22+
AD AD5308BRUZ-REEL7 22+
AD AD5259BRMZ10-R7 22+
MIC ATMEGA324PV-10AU 22+
MIC PIC24EP512GU810T-I/PT 23+
MIC USB4604I-1080HN 23+
MIC PIC18F86K90-I/PT 23+
S25FL512SAGMFIR10
BTS50085-1TMA
NXP MCIMX258CJM4A 22+
M41T00M6F ST 23+
AD7606BBSTZ ADI DC2Y
DAC7714UB/1K within two years 2days
PM40100B1-FEI Microchip
L7986TR ST
STL8N10LF3 ST
S9S12G128AMLF
IHW20N135R3
VNH5180ATR-E
MCF52234CVM60
TPS563201DDCR
LM2675MX-ADJ/ NOPB
FS32K144HFT0VLHT
XCKU5P-2FFVB676I
TLE9877QXW40XUMA2
VNH5019ATR-E
MTFDHBM1T0TDQ-1AT12ATYY
AFE032IRGZT
BQ24195RGER
MC9S12A64CFUE

LTC1387CG#TRPBF

SM6T10CA
FDD7N60NZTM
25LC040AT-I/SN
HV9120NG-G
STM32F101R8T6TR
SST26VF016B-104I/SN
STM32F030RCT6
8471LDM1012RXN0110
ADE9000ACPZ-RL
STM32F103RGT7






产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
系列: FDD7N60NZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg

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