N+PMOS场效应管
AO4612-MS sop-8(美森科MSKSEMI)5A 60V
类型：N+P沟道，N路：漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V, 80mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V至2.5V VDS=VGS,ID=250μA，P路： 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：700mΩ@10V, 115mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.2V至-2.5V VDS=VGS,ID=250μA，
概述
AO4612采用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。互补MOSFET可以用于H桥、逆变器和其他应用。
功能
n沟道p沟道
VDS（V）=60V-60V
ID=4.5A（VGS=10V）-3.2A（VGS=-10V）
RDS
<56mW（VGS=10V）<105mW（VGS=-10V）
<77mW（VGS=4.5V）<135mW（VGA=-4.5V）
AO4612-MS 美森科
ES3JB MSKSEMI
ES3GB 美森科
US2MB MSKSEMI
US2GB 美森科
FDC6327C MSKSEMI
SS12-MS 美森科
AO4612-MS MSKSEMI
