CSD17575Q3 TI德州仪器采用3mm x 3mm SON封装的单路、3.2mΩ、30V、N沟道 NexFET功率MOSFET
厂商:TI德州仪器
封装:VSON8
包装:2500PCS/包
批次:新批次
类型:MOS
描述:采用3mm x 3mm SON封装的单路、3.2mΩ、30V、N沟道 NexFET功率MOSFET
丝印(打字):CSD17575
备注:TI德州仪器原厂原装
替代:
相关型号:
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 182 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 108 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD17575Q3
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 118 S
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 3.3 mm
单位重量: 44.500 mg
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(on)
低热阻
雪崩级
无铅端子镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
CSD17575Q3这款 1.9mΩ,30V,SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
RθJA = 45°C/W,这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
TLV62568DBVR
CD4017BE
LM358MX/NOPB
ULN2003LVDR
SN74LVC2G08DCUR
LM224DR
SN74HC138DR
ADS1256IDBR
LM2902DR
CSD18543Q3A
SN74LVC4245ADBR
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ISO7221ADR
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SN74LVC1G00DCKR
SN74LVC1G17DCKR
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LM2776DBVR
LM2596SX-5.0/NOPB
INA199A1DCKR
ADS1110A0IDBVR
LM8261M5X/NOPB
PGA281AIPWR
UCC27211DDAR
DAC8552IDGKR
CD4011BE
SN74HC04PWR
CD4013BM96
DRV8833CPWPR
CD74HC4067M96
LM311P
TLV75718PDBVR
SN74AHCT541PWR
CD4013BE
OPA2188AIDR
OPA350UA/2K5
LSF0204PWR
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TL084CN
OPA189IDR
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SA555DR
SN74LVC1G3157DCKR
TLV70233DBVR
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CD74HC4052M96
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TLV62569DBVR
TLV3501AQDBVRQ1
INA181A1IDBVR
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TS5A3160DBVR
SN74ACT244PWR
TLC2274IDR
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TL062CDR
SN74LVC1G86DCKR
SN74AHC1G32DBVR
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TLC272CDR
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CD4053BPWR
CD4051BE
SN74HCT08DR
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TLV3502AIDR
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LM193DR
CD74HC4051M96
UA78L05ACPK
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