参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2102660498
零件包装代码
TO-252AA
包装说明
ROHS COMPLIANT, D-PAK-3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
7.43
雪崩能效等级（Eas）
200 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
42 A
最大漏源导通电阻
0.018 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
220 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数规格与技术文档
全部数据手册技术文档
全部
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数据手册
技术文档
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