类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
onsemi
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
102A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
220 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2943 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
510W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
基本产品编号
NTH4L020
