Vds-漏源极击穿电压: 100 V
晶体管类型: 1 N-Channel
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
产品属性 属性值
通道数量: 1 Channel
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Id-连续漏极电流: 17 A
封装: Tube
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 24.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
通道模式: Enhancement
产品类型: MOSFET
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
制造商: Infineon
1000
子类别: MOSFETs
Pd-功率耗散: 79 W
宽度: 4.4 mm
单位重量: 2 g
封装 / 箱体: TO-220-3
描叙特点
InternationalRectifier的先进HEXFETÆ功率MOSFET利用先进的加工技术实现了每硅面积极低的导通电阻。
这种优势,再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用设备设计,
为设计者提供了一种在各种应用中使用的高效可靠的设备。TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,
功耗水平约为50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛接受。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定
无铅
功率MOSFET的线性模式操作和安全操作图
现代功率MOSFET的发展主要集中在超快速开关和超低欧姆器件上,以不断降低面积比导通电阻。
因此,与10年前的功率MOSFET相比,今天的最先进功率MOSFET在任何给定的RDS(on)中使用的硅管芯面积都要小得多。
因此,特定RDS(on。特别是在线性操作模式中,
当MOSFET由于引脚上的电压和MOSFET中的电流同时出现而处理高功率耗散时,这是重要的。
安全操作区域图(SOA图)定义了允许的最大电流电压范围。
在功率MOSFET的设计阶段,特别是在线性模式操作的情况下,必须考虑这一点。功
率MOSFET主要以线性模式运行,存在许多应用[2]。线性模式操作是指输出特性中的电流饱和区域。
对于给定的栅极-源极(VGS)电压,漏极电流(IDS)几乎与漏极-源极电压(VDS)无关。
它直接取决于MOSFET的VGS电压。在图1中,线性模式操作的区域显示为红色阴影区域。
与线性模式操作区域相反的是所谓的欧姆区域(如图1中蓝色阴影区域所示)。
VDS和IDS之间的关系遵循欧姆定律。如图1所示,
在低VGS电压(例如2.9V)和高VDS电压(例如VDS=4V)下工作的MOSFET能够产生相当大的电流(例如~200A)。
这里,MOSFET以线性模式工作。功耗非常高(例如800W),这暴露了MOSFET破坏的可能性,稍后将讨论。
SOA图用于检查给定的VDS、IDS和应力时间参数集,无论功率MOSFET是否在规范范围内运行。
这一点很重要,因为超出规格的操作可能会损坏设备并降低其可靠性。在严重违反规范的情况下,
可能会发生灾难性故障。为了验证MOSFET是否保持在SOA内,
有必要了解应用程序以及与时间相关的电压和电流函数(VDS=f(t),IDS=f(t))。
热卖现货
QFN24/DS125DF111SQ/双通道多速率重定时器
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RTXM290-901/50G/QSFP28/10km/1311/LC
EB8/ESR15-48S3V3-LG/48V入 3.3V出15A负逻辑
FCBGA135/DS250DF810ABVT/25G/8通道/RETIMER
FBGA1152/10AS048H3F34E2SG/Arria10SX FPGA
RTXM140-400/155M SFP 40KM 1310nm-FP PIN
MTA9ASF1G72HZ-2G6E2/8GB/DDR4/260P内存条
SMD6/EV1409EAN/1986.819383MHz/3.3V/V
ESD/22187338-001/2x1x20/WSS
EDFA-MW-A-6022/3224-B-6028/3824-LU-X
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INDD200-S01-13/200G Coherent DSP
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QFN16/TPA8304-QF4R-S/对数放大器
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TSOC6/AF6FHW0131/IP KEY/CES
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SG4RZ00001/125*95*10mm/散热器
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专OCM-CP-4-400-LC/UPC-D-1
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WZEDFA-EM-MINI-S-P-8-LC/UPC/EDFA单波长PA
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SOT23-6/LT6654AHS6-1.25#TRMPBF/1.25V电压基准
QFN56/ZL30267LDG1Q042/10路时钟发生器
SSOP20/PI49FCT3805DHEX/2路 1:5/CLK DRV
SMD2520/8Z26000091/26MHz/7ppm/12pF/晶体
PBGA80/Si5374B-A-GL/4通道PLL时钟发生器/带抖动衰减
MP37V1.0-FH-BA-6-1.2-LC/UPC/mini EDFA