HXY2300MI NMOS 耐压20V 电流6A
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@4.5V,5A VGS(th)开启电压： 0.5V~1V
描述
HXY2300MI采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
一般功能
VDS=20V ID=6 A
RDS（ON）<27mΩ@VGS=4.5V
应用
蓄电池保护
负载开关
不间断电源
HXY3415MI 4.1A
HXY2300MI 6A
HXY3404MI 5A
LM2904
PC817B
PC817C
LM2903
LM393DR-HXY
74HC595D
L9110S-HXY
74HC165-HXY
74HC164D
MAX3485ESA-HXY
MAX485ESA-HXY
L298N-HXY
