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SI2302-HXY

发布时间:2023/9/4 17:16:00 访问次数:225 发布企业:深圳市钊展电子科技有限公司

MOS场效应管 华轩阳HXY
SI2302-HXY
N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@4.5V,2.8A VGS(th)开启电压: 0.5V~1.2V
描述
SI2302采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
一般功能
VDS=20V ID=2.8V
RDS(ON)<55mΩ@VGS=4.5V
SI2302-HXY 2.8A
SI2301-ZE 2.3A
AO3400-HXY 5.8A

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