SI7431DP-T1-GE3
规格信息：
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PowerPAK-SO-8
通道数量:1Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200V
Id-连续漏极电流:3.6A
RdsOn-漏源导通电阻:147mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:4V
Vgs-栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:88nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:1.9W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.04mm
长度:6.15mm
系列:SI7
宽度:5.15mm
商标:Vishay/Siliconix
正向跨导-最小值:17S
下降时间:66ns
产品类型:MOSFET
上升时间:49ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:110ns
典型接通延迟时间:23ns
零件号别名:SI7431DP-GE3
单位重量:506.600mg
SI7431DP-T1-GE3 MOSFET
发布时间:2023/8/7 6:49:00 访问次数:77 发布企业:深圳市晨豪科技有限公司
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