bychip可替代FDS4559-NL导读
这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。
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。对于N沟道增强型的MOS管，当Vgs >Vgs(th)时，MOS就会开始导通，如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。
PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。PMOS价格贵，厂商少，型号少。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。
我们先来看一下MOS管的输出特性曲线，MOS管的输出特性可以分为三个区：夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。在一定的Vds下，D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。
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IRLML6402TRPBF
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
金属栅极被置于氧化物层之上，而这层氧化物又被放置在半导体材料的表面上。
是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。ID(导通电流) 最大漏源电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗，判断是否会超过 ID。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
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电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。
P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
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