型号：STGAP2GSNCTR EVSTGAP2GS EVSTGAP2GSN
STGAP2GS 和 STGAP2GSN 是用于增强型 GaN 功率晶体管的电隔离单通道栅极驱动器，采用 SO8 宽体和 SO8 标准封装，利用最新的电隔离技术，以小尺寸为 GaN 提供合适的隔离驱动器。该栅极驱动器的特点是具有 2 A 拉电流和 3 A 灌电流能力以及轨至轨输出，使该器件适用于中高功率应用，例如工业应用中的电源转换和电机驱动逆变器。
在整个温度范围内，dV/dt 瞬态抗扰度为 ±100 V/ns，确保了对电压瞬变的卓越稳健性。该器件提供单独的灌电流和源电流配置选项，可轻松实现栅极驱动，从而使用独立电阻器优化独立的开启和关闭。
该器件集成了保护功能，包括热关断（当结温达到设定阈值时会降低驱动器输出）和带针对增强模式 GaN FET 优化级别的 UVLO，可轻松设计高效可靠的系统。双输入引脚允许选择信号极性控制并实施硬件互锁保护以避免交叉导通。
输入到输出的传播延迟在 45 ns 以内，提供高 PWM 控制精度。具有待机模式，可减少功耗。最低 3.3 V 的 CMOS/TTL 兼容逻辑输入，确保了与微控制器和 DSP 外设的简单接口。
特性 最高 15 V 的栅极驱动电压 驱动器电流能力 2 A/3 A 拉电流/灌电流 dv/dt 瞬态抗扰度 ±100 V/ns 45 ns 传播延迟 独立的灌和拉电流能力，便于栅极驱动调节 3.3 V/5 V 逻辑输入 针对 GaN 优化的 UVLO 功能 热关断保护 待机功能 宽体 SO-8W 封装和窄体 SO8 封装
