LM5112是一款高速、高压、低侧N沟道MOSFET驱动器，适用于高压半桥拓扑的应用。其主要技术参数包括：
1. 工作电压范围：4.5V至100V
2. 最大输出峰值电流：2A
3. 最大输出平均电流：1A
4. 最大输出功率：20W
5. 最大开关频率：1MHz
6. 内置低侧N沟道MOSFET驱动器
7. 内置死区时间控制
8. 内置过流保护和短路保护
LM5112主要应用于高压半桥拓扑的应用，如电机驱动、太阳能逆变器、电源转换器等。
其高速、高压、低侧N沟道MOSFET驱动器和内置保护功能，使得LM5112在高压应用中具有较高的可靠性和稳定性。
