L6562ADTR
STFW3N150
VIPER22ADIP-E
LM324ADT
LM317T-DG
STM32F407ZGT6
SN55452BJG 10K 21+
BTN8982TA 16k 2y
TLE7181EM 20k 2y
IPD90N04S4-04 30k 2y
UJA1169ATK/3 5K 2y
WGM160PX22KGA2 6K 2y
ATSAMD51J20A-AU 6K 2y
BTM7752G 3K 2y
TPS92663AQPWPRQ1 5K 2y
R5F10AGFCLFB 20K 2y
DRV8343SPHPRQ1 6K 2y
FCD850N80Z 20K 2y
LM358DR2G 12k 22+
IKW75N65EH5 5k 21+
E-L9823013TR 1k 23+
STM32L151CBU6A 2.6k
NCP1342AMDCDAD1R2G 2.5k 2y
STM32F407ZGT6 360pcs
IAUC120N04S6N010 5k 2y
MK22FN1M0VLL12 450pcs 22+
BSC014N04LSIATMA1 5000pcs
SAK-TC1797-512F180EF AC
PIC16F1823T-I/SL
BSP135H6327 2000pcs
L9301-TR 3k 22+
ADS1015BQDGSRQ1 2包
DP83822IRHBR 40k 23+
AD8676ARZ-REEL7 1K
TPS7A3301RGWR 6K 22+
TMS320F28377SPTPT 980pcs 22+
VNI2140JTR 2500pcs 23+
TJA1027TK/20 12k 22+
STD25NF20 10k 22+
BSP171PH6327 20k 22+
MSP430FR5949IDAR 10k 22+
ADS131E06IPAGR 1500pcs 22+
产品属性
属性值
选择属性
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
200 V
Id-连续漏极电流:
18 A
Rds On-漏源导通电阻:
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Qg-栅极电荷:
28 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
110 W
通道模式:
Enhancement
资格:
AEC-Q101
商标名:
STripFET
系列:
STD25NF20
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
STMicroelectronics
配置:
Single
下降时间:
10 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
30 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:
40 ns
典型接通延迟时间:
15 ns
单位重量:
330 mg
