通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
8V ~ 17V
逻辑电压- VIL，VIH
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
3A，3A
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
120 V
上升/下降时间（典型值）
8ns，7ns
工作温度
-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO-PowerPad
