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FDS9945

发布时间:2023/6/9 10:25:00 访问次数:86

技术 MOSFET(金属氧化物)


配置 2 N-通道(双)


FET 功能 逻辑电平门


漏源电压(Vdss) 60V


25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A


不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 3.5A,10V


不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA


不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 5V


不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 420pF @ 30V


功率 - 最大值 1W


工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)


安装类型 表面贴装型

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