型号：PJQ4548P-AU_R2_002A1 PJQ4546P-AU_R2_002A1 PJQ5548-AU_R2_002A1 PJQ5546-AU_R2_002A1
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5542-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU_R2_002A1
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ5548V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU_R2_002A1
PJQ5542V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU_R2_002A1
30 V 和 40 V 高级增强型逻辑电平 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(ON)，同时最大限度地提高雪崩强度和空间利用率，符合 AEC-Q101 标准，结温高达 +175°C。它们采用各种紧凑型封装，例如 DFN3x3、DFN5x6 和 DFN5060-8L。这些产品非常适用于电源管理功能、反极性保护、电池电源设备、LED 照明、信息娱乐、远程信息处理、高级驾驶辅助系统 (ADAS)、电机驱动器、有刷直流电机、电子转向和直流风扇。它们是希望在优化性能的同时简化电路的汽车设计工程师的最佳选择。
特征 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力 低 RDS(ON)以最大限度地减少传导损耗 100% 未钳位电感开关 (UIS) 测试 低热阻封装 静电敏感器件 (ESD) 能力 +175°C 工作结温 应用 电源管理功能 反接保护 电池动力设备 LED照明 资讯娱乐 远程信息处理 高级驾驶辅助系统 螺线管和电机驱动器 有刷直流电机 电子转向 直流风扇
