制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
11 A
Rds On-漏源导通电阻:
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
5 V
Qg-栅极电荷:
30 nC
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
160 W
