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FQD18N20V2TM

发布时间:2013/8/19 16:33:00 访问次数:386发布企业:深圳市中意法电子科技有限公司

<a href=FQD18N20V2TM外观图" src="http://file1.dzsc.com/file/shop/582/000/2135296093s.jpg" width="120" height="120" />
图像仅供参考,请参阅产品规格书

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing

标准包装:2,500

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:QFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 7.5A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:1080pF @ 25V

功率 - 最大:2.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商设备封装:TO-252-3

包装:带卷 (TR)

其它名称:FQD18N20V2TM-NDFQD18N20V2TMTR

深圳市中意法电子科技有限公司

联系人:EchoZhou

TEL:0755-83991289

QQ:2859444272

FAX:0755-83350938

E-MAIL:sales2@sth-ic.com

公司网址:http://www.sth-ic.com

公司地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区201栋西316室

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