DRAM，非常适合需要大内存密度和高容量的主存储器应用
带宽。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
还有落下的钟边。而所有的地址和控制输入锁存在上升边缘
CK (CK的下降边)，数据，数据频闪和写数据掩码输入都在上升上采样
它的落边。数据路径是内部流水线和8位预取，以实现非常高
带宽
H5TQ1G63EFR-PBC
发布时间:2023/5/9 10:13:00 访问次数:75
H5TQ1G6(8)3EFR-xxx系列是1,073,741,824位CMOS双数据速率III (DDR3)同步
DRAM，非常适合需要大内存密度和高容量的主存储器应用
带宽。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
还有落下的钟边。而所有的地址和控制输入锁存在上升边缘
CK (CK的下降边)，数据，数据频闪和写数据掩码输入都在上升上采样
它的落边。数据路径是内部流水线和8位预取，以实现非常高
带宽
DRAM，非常适合需要大内存密度和高容量的主存储器应用
带宽。SK海力士(SK hynix)的1Gb DDR3 dram提供了完全同步的操作
还有落下的钟边。而所有的地址和控制输入锁存在上升边缘
CK (CK的下降边)，数据，数据频闪和写数据掩码输入都在上升上采样
它的落边。数据路径是内部流水线和8位预取，以实现非常高
带宽
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