4Gb DDR3 SDRAM E-die结构为32Mbit x 16 I/ o x 8bank，
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
传输速率高达2133Mb/sec/pin (DDR3-2133)，适用于一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR3 SDRAM功能功能，如贴附CAS，可编程CWL，内部(自)校准，
使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部最终提供的差分时钟同步。输入锁存于不同时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一对双向频闪灯(DQS和DQS)在一个源同步闪光灯离子。地址总线用于传递行、列和银行地址
RAS/CAS多路复用方式的信息。DDR3设备运行
带单路1.5V(1.425V~1.575V)电源和1.5V(1.425V~1.575V)电源
VDDQ。
4Gb DDR3 E-die器件提供96ball FBGAs(x16)。
K4B4G1646E-BCNB4Gb DDR3 SDRAM
256Mx16 K4B4G1646E-BCK0 K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCNB 96 FBGA
•JEDEC标准1.5V(1.425V~1.575V)
•VDDQ = 1.5v (1.425v ~ 1.575v)
•400 MHz fCK 800Mb/秒/引脚，533MHz fCK 1066Mb/秒/引脚，
667MHz fCK为1333Mb/秒/引脚，800MHz fCK为1600Mb/秒/引脚，
933MHz fCK为1866Mb/秒/引脚，1066mhz fCK为2133Mb/秒/引脚
