K4B1G1646I-BCNB1GbDDR3 SDRAM 96FBGA无铅无卤
K4B1G1646I-BCNB1Gb DDR3 SDRAM I-die被组织为8Mbit x 16 I/ o x 8bank
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
传输速率高达2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)，适用于一般应用。
该芯片设计符合以下关键DDR3 SDRAM功能功能，如贴附CAS，可编程CWL，内部(自)校准，
使用ODT引脚和异步复位的芯片终止。
所有的控制和地址输入与一对外部最终提供的差分时钟同步。输入锁存于不同时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一对双向频闪灯(DQS和DQS)在一个源同步闪光灯离子。地址总线用于传递行、列和银行地址
RAS/CAS多路复用方式的信息。DDR3设备运行
具有单台1.5V±0.075V电源和1.5V±0.075V VDDQ。
1Gb DDR3 I-die器件提供96ball FBGA(x16)。
