FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
111 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7360 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
245W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56; Power-SO8
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号
PSMN3R9
