类型 描述 选择
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 17.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值)
161 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
391W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R080
报告产品信息错误
新建参数搜索
F280025PMSR
TMS320F28335PTPS
TMS320F28335PTPQ
TMS320F28069FPZT
TMS320F28069FPFPQ
TMS320F28379DPTPS
TMS320F28379DZWTS
TMS320F28069PZT
TPS546D24RVFR
TPS544B20RVFT(小包)500个
A4989SLDTR-T
TMS320C6713BZDP300
IPW65R080CFDA
STM32F207IGH6
LM5160QPWPRQ1
STM32F207IGH6