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类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 5.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2620 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB12N
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BSS84PWH6327
TLE9861QXA20
AD622ARZ
ISO1050DWR
AMC1311DWVR
AT90CAN128-16AU
SN65220DBVR
XMC4500-F144K1024 AC
SCTH70N120G2V-7
STB12NK80ZT4
IPB180N04S4-00
SAK-TC277T-64F200S CA
