STH240N75F3-6

价格：未税80

深圳市力拓辉电子科技有限公司本着“诚信为本，品质第一，求实创新”的企业精神，立足亚洲市场，供应全球各大品牌全新原装芯片，服务中国电子制造。公司长期备有大量现货，只做进口全新原装，欢迎来电来函洽谈业务、索取资料；真诚服务，与客户共同成长，业务不论大小，我们都提供优质服务！
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公司地址：深圳市福田区华强北都会100大厦B座26U
参数名称 参数值
Source Content uid STH240N75F3-6
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1165326368
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 7.52
Samacsys Description N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.92
雪崩能效等级（Eas） 600 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 180 A
最大漏极电流 (ID) 180 A
最大漏源导通电阻 0.003 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G6
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 720 A
子类别 FET General Purpose Powers
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档 全部数据手册技术文档 全部 全部 数据手册 技术文档 下载: STH240N75F3-6 STMicroelectronics 下载: STH240N75F3-6 STMicroelectronics 相关器件