IXFH46N65X3

发布时间:2023/3/10 14:47:00 访问次数:81

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.2 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: IXYS
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs