参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
145122069249
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
7.71
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
6.6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
56 A
最大漏极电流 (ID)
56 A
最大漏源导通电阻
0.056 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
13 pF
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T4
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
227 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
150 A
表面贴装
NO
端子面层
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
10
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON CARBIDE
IMZ120R030M1H
SAK-TC234LP-32F200N AC INFINEON 22+ 3500 原装正品 LQFP144
TLE9877QXA40XUMA2 INFINEON 22+ 3500 原装正品 VQFN48
2ED020I12-FI INFINEON 22+ 3500 原装正品 SOP-18
