是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1482538395
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数 4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.3
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 4000 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 60 A
最大漏极电流 (ID) 60 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PUFM-X4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 NICKEL
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档 全部数据手册技术文档 全部 全部 数据手册 技术文档 下载: IXFN60N60 IXYS Corporation 相关器件
