深圳市腾浩伟业电子有限公司
型号：RU6888R
器件类别：分立半导体MOS(场效应管)
器件：漏源电压（Vdss）：68V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，68V，88A，6mΩ@10V
封装:TO220
年份：21+
品牌：锐骏
备注：原装正品现货
RU6888R 原装正品现货
发布时间:2023/2/13 16:32:00 访问次数:99
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