製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PG-WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 13 A
Rds On - 漏-源電阻: 6.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.8 V
Qg - 閘極充電: 43 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 2.5 W
通道模式: Enhancement
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 7.5 ns
互導 - 最小值: 55 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.8 ns
6000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 21.1 ns
標準開啟延遲時間: 8.9 ns
零件號別名: IQE065N10NM5SC SP005559080
