深圳市和诚半导体有限公司
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BCD, APT CHIP爱普特微，ON安森美,NEXPERIA等品牌。
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30V-250V SGT N Channel Power MOSFET
1.Part No.：WMB099N10LG2
2.Package：PDFN5*6-8L
3.VDS(V)：100
4.Vgs Max(V)：±20
5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：62
6.VGS(th)(V)(Typ.)：1.8
7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：9.9
8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：13
WMQ119N10LG2
100V，13mΩ，42A
DFN3*3
WMB119N10LG2
100V，13mΩ，50A
DFN5*6
WMK099N10LG2
100V，9.9mΩ，65A
TO-200
WMB099N10LG2
100V，9.9mΩ，62A
DFN5*6
WMO15N10T1
100V，100mΩ，15A
TO-252
WM10N35M2
100V，90mΩ，3.5A
SOT-23
WM10N20M
100V，280mΩ，2A，2324
SOT-23
WMB072N12LG2
120V，7.2mΩ，90A
DFN5*6
WMB125N12LG2
120V，12.5mΩ，61A
DFN5*6
WMK125N12LG2
120V，12.5mΩ，74A
TO-220
WMM058N12HG2
120V，5.8mΩ，160A
TO-263
WMK049N12HG2
120V，4.9mΩ，170A
TO-220
WMK161N15T2
150V，6mΩ，160A
TO-220
WMO20N15T1
150V，78mΩ，20A
TO-252
WMB023N03LG2
30V，2.3mΩ，83A
DFN5*6
WMQ023N03LG2
30V，2.3mΩ，75A
DFN3*3
WMQ28N03T1
30V，18mΩ,28A
DFN3*3
WMQ46N03T1
30V，8.5mΩ，46A
DFN3*3
WMK75N03T1
30V，6mΩ，75A
TO-220
WMR13N03T1
30V，11mΩ，12.5A，Vth＜1V
DFN2*2
WMR12N03T2
30V，8mΩ，12.5A，Vth1-2.5
DFN2*2
WM03N115A
30V，12mΩ，11.5A
SOP8
WM03N06M
30V，310mΩ，0.6A
SOT-23
WM03N58M
30V，36mΩ，5.8A，VGS_12V
SOT-23
WM03N57M
30V，36mΩ，5.7A，VGS_20V
SOT-23
WM03P42M
P -30V，43mΩ，4.2A，VGS_12V 3401
SOT-23
WM03P41M
P -30V，42mΩ，4.1A，VGS_20V 3407
SOT-23
