型号：IRFB4115PBF
类别 分立半导体产品 单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5270 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
