FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 95μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5600 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC030
