型号:STW48N60M2
类别 分立半导体产品 单 FET,MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
70 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3060 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
深圳市腾浩伟业电子有限公司
TEL:13420935820
型号:STW48N60M2