FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
19 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BSS84
