QS8M31TR

制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSMT-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms, 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4 nC, 7.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 7 ns, 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns, 12 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns, 45 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: QS8M31
单位重量: 10 mg