类别
分立半导体产品
单 IGBT
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，25A
功率 - 最大值
395 W
开关能量
1.4mJ（开），1.65mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
67 nC
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/140ns
测试条件
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
